尖端材料制造商通過創(chuàng)新工藝實(shí)現(xiàn)低α氧化鋁的量產(chǎn)突破。部分企業(yè)采用氣相沉積法精控材料純度，另一些則開發(fā)了高溫熔融技術(shù)優(yōu)化顆粒形貌。這些工藝創(chuàng)新在確保材料低放射性的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了晶體結(jié)構(gòu)的精密調(diào)控，為后續(xù)應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。

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納米類球單晶α氧化鋁DCA-500NL電鏡圖?

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       當(dāng)前，這類創(chuàng)新型氧化鋁材料已在高階存儲芯片封裝中開展應(yīng)用驗(yàn)證。其融合低放射性、高導(dǎo)熱與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的綜合特性，為半導(dǎo)體封裝材料進(jìn)化提供了新的技術(shù)路徑。

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? 備注：內(nèi)容素材來自熱管理實(shí)驗(yàn)室